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首 页 >> 产 品 >> 欧姆龙 >> 欧姆龙C200HE/C200HW/C200HG/C200HX/C200H PLC
欧姆龙
模拟量输入输出模块
C200H-MAD01


输入输出点数:分别2点。 信号范围选择:分别2点独立。 信号范围:1~5V、0~10V、-10~10V、4~20mA。
欧姆龙
定位模块
C200H-MC221


通过多任务G语言将2轴运动控制功能单元化。 对象驱动器可连接模拟量输入的伺服驱动器。 ABS编码器对应可标准对应ABS型(绝对值输出型)编码器。
欧姆龙
直流输入/晶体管输出模块
C200H-MD115


输入点数:16点。 输入电压:DC12V。 输入电流:4.1mA。
欧姆龙
直流输入/晶体管输出模块
C200H-MD215


输入点数:16点。 输入电压:DC24V。 输入电流:4.1mA。
欧姆龙
TTL输入/输出模块
C200H-MD501


输入点数:16点。 输入电压:DC5V。 输入电流:约3.5mA 。
欧姆龙
EEPROM内存卡
C200H-ME431


UM:3K字; DM:1K字。 要将程序写入EPROM,请使用标准PROM写入器。 在EPROM存储器盒装入CPU之前,先将EPROM连接至EPROM存储器盒内。
欧姆龙
EEPROM内存卡
C200H-ME831


UM:7K字; DM:1K字。 要将程序写入EPROM,请使用标准PROM写入器。 在EPROM存储器盒装入CPU之前,先将EPROM连接至EPROM存储器盒内。
欧姆龙
EPROM内存卡
C200H-MP831


UM:7K字; DM:1K字。 要将程序写入EPROM,请使用标准PROM写入器。 在EPROM存储器盒装入CPU之前,先将EPROM连接至EPROM存储器盒内。
欧姆龙
CMOS-RAM内存卡
C200H-MR431


cmos-ram单元:内置备用电池。 UM:3K字; DM:1K字。 CPU有一个安装存储器盒的舱。
欧姆龙
CMOS-RAM内存卡
C200H-MR432


cmos-ram单元:电容器备份。 UM:3K字; DM:1K字。 CPU有一个安装存储器盒的舱。
欧姆龙
CMOS-RAM内存卡
C200H-MR831


cmos-ram单元:内置备用电池。 UM:7K字; DM:1K字。 CPU有一个安装存储器盒的舱。
欧姆龙
CMOS-RAM内存卡
C200H-MR832


cmos-ram单元:电容器备份。 UM:7K字; DM:1K字。 CPU有一个安装存储器盒的舱。
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